IRF9956PBF

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分销商 库存型号 品牌 库存数量 购买 货币 1 102025501005001,0005,00010,000
FT IRF9956PBF INTERNATIONAL RECTIFIER 85 购买 2.41 2.412.412.411.581.581.581.581.581.58
EM IRF9956PBF INTERNATIONAL RECTIFIER 201 购买 6.78 ---------
DK IRF9956PBF Infineon Technologies - 购买 - ---------
MS IRF9956PBF International Rectifier 1,530 购买 6.78 ---------

产品说明IRF9956PBF

  • FT

    双 N沟道 30 V 2 W 6.9 nC 功率Mosfet 表面贴装 - SOIC-8

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  • EM

    场效应管, MOSFET, 双 NN 逻辑电平 SO-8

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  • DK

    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

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  • MS

    MOSFET 30V N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC

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产品参数IRF9956PBF

  • FT

    Channel Type:Dual N-Channel
    Drain-to-Source Voltage [Vdss]:30 V
    Drain-Source On Resistance-Max:0.1 Ω
    Qg Gate Charge:6.9 nC
    Rated Power Dissipation:2 W

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  • EM

    型号:IRF9956PBF
    品牌:INTERNATIONAL RECTIFIER
    RoHS:符合RoHS
    电流, Id 连续:3.5A
    漏源电压, Vds:30V
    MSL:MSL 1 -无限制
    针脚数:8
    在电阻RDS(上):0.1ohm
    工作温度最高值:150°C
    功耗 Pd:2W
    电压 @ Rds测量:10V
    SVHC(高度关注物质):No SVHC (17-Dec-2014)
    阈值电压 Vgs:1V
    晶体管封装类型:SOIC
    晶体管极性:N沟道

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  • DK

    型号IRF9956PBF
    品牌Infineon Technologies
    FET 类型2 个 N 沟道(双)
    FET 功能逻辑电平门
    漏源电压(Vdss)30V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.5A
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)100 毫欧 @ 2.2A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)14nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)190pF @ 15V
    功率 - 最大值2W
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
    供应商器件封装8-SO

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  • MS

    型号:IRF9956PBF
    品牌:International Rectifier
    RoHS:符合RoHS
    Id-连续漏极电流:3.5 A
    Vds-漏源极击穿电压:30 V
    Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms
    晶体管极性:N-Channel
    Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
    Qg-栅极电荷:11 nC
    最大工作温度:+ 150 C
    Pd-功率耗散:2 W
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:SOIC-8
    封装:Tube
    商标:International Rectifier
    通道模式:Enhancement
    配置:Dual Dual Drain
    下降时间:3 ns
    正向跨导 - 最小值:12 S
    最小工作温度:- 55 C
    上升时间:8.8 ns
    工厂包装数量:95
    典型关闭延迟时间:13 ns

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