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Quantity Price
5 10.34
50 6.08
500 5.648
1000 5.536
2500 5.428

1 10 100 1000 2500 Updated
* FCD5N60TM 20 CNY 4.02501 3.85001
* FCD5N60TF 3344 USD
* FCD5N60_F085 3168 USD
* FCD5N60TM_WS 2400 USD
* FCD5N60TM 90480 USD
* FCD5N60-F085 0 USD
* FCD5N60-F085 0 USD
* FCD5N60TM 1 USD
* FCD5N60TM 1000
* FCD5N60TM-WS 0
* FCD5N60TF 0
* FCD5N60-F085 0
* FCD5N60TM 0 CNY 5.3363
* FCD5N60_F085 870 USD 0.1606
* FCD5N60TM 0 USD
* FCD5N60TM 1876 USD 1.674360 1.579585 1.490174
* FCD5N60TM-WS 5802 USD
* FCD5N60TM-WS 5802 USD
* FCD5N60TM-WS 5802 USD
* FCD5N60-F085 1708 USD 14.117600 13.318491 12.564614
* FCD5N60-F085 4800 USD
* FCD5N60TM 2000 USD
* FCD5N60TM 0

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。

onsemi
onsemi NMOS, MOSFET, SuperFET系列, Vds=600 V, DPAK (TO-252)封装, 4.6 A, 表面贴装, 3引脚, Si晶体管