| Quantity | Price |
|
|---|---|---|
| 1 | 17.36 | |
| 200 | 16.84 | |
| 400 | 16.33 |
| Quantity | Price | Price Tax |
|---|---|---|
| 1 | 17.36 | |
| 200 | 16.84 | |
| 400 | 16.33 |
| 1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| * | FQB8N60CFTM | 6720 | USD | ||||||
| * | FQB8N25TM | 6320 | USD | ||||||
| * | FQB8N60CTM | 355488 | USD | ||||||
| * | FQB8N90CTM | 4064 | USD | ||||||
| * | FQB8N60CTM_WS | 7056 | USD | ||||||
| * | FQB8N25TM | 0 | USD | ||||||
| * | FQB8N60CFTM | 0 | USD | ||||||
| * | FQB8N60CTM | 1 | USD | ||||||
| * | FQB8N60CTM | 539 | |||||||
| * | FQB8N90CTM | 0 | |||||||
| * | FQB8N25TM | 0 | |||||||
| * | FQB8N60CFTM | 0 | |||||||
| * | FQB8N60CTM-WS | 0 | |||||||
| * | FQB8N60CTM | 0 | CNY | ||||||
| * | FQB8N90CTM | 7996 | USD | 1.580672 | 1.491200 | 1.406792 | |||
| * | FQB8N60CTM | 12606 | USD | 0.561376 | 0.529600 | 0.499623 | |||
| * | FQB8N90CTM | 7597 | USD | ||||||
| * | FQB8N60CTM | 2632 | USD | ||||||
| * | FQB8N60CTM | 0 | |||||||
| * | FQB8N90CTM | 0 |
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
