| 1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| * | FQD5N50CTM_WS | 3216 | USD | ||||||
| * | FQD5N60CTM_F080 | 7408 | USD | ||||||
| * | FQD5N50CTM_F080 | 3920 | USD | ||||||
| * | FQD5N50TF | 40128 | USD | ||||||
| * | FQD5N60CTF | 4144 | USD | ||||||
| * | FQD5N50TM | 5040 | USD | ||||||
| * | FQD5N50CTM | 388104 | USD | ||||||
| * | FQD5N50CTF | 16416 | USD | ||||||
| * | FQD5N40TF | 3568 | USD | ||||||
| * | FQD5N30TF | 7248 | USD | ||||||
| * | FQD5N30TM | 3408 | USD | ||||||
| * | FQD5N40TM | 191352 | USD | ||||||
| * | FQD5N20LTF | 6352 | USD | ||||||
| * | FQD5N20TF | 4064 | USD | ||||||
| * | FQD5N15TF | 52812 | USD | ||||||
| * | FQD5N60CTM_WS | 6016 | USD | ||||||
| * | FQD5N15TM | 240744 | USD | ||||||
| * | FQD5N60CTM | 164676 | USD | ||||||
| * | FQD5N20LTM | 18684 | USD | ||||||
| * | FQD5N40TM | 0 | USD | ||||||
| * | FQD5N50TF | 0 | USD | ||||||
| * | FQD5N50TF | 0 | USD | ||||||
| * | FQD5N20LTM | 1 | USD | ||||||
| * | FQD5N15TM | 1 | USD | ||||||
| * | FQD5N20LTM | 1348 | |||||||
| * | FQD5N60CTM | 0 | |||||||
| * | FQD5N15TM | 59 | |||||||
| * | FQD5N60CTM-WS | 0 | |||||||
| * | FQD5N15TF | 0 | |||||||
| * | FQD5N20TF | 0 | |||||||
| * | FQD5N20LTF | 0 | |||||||
| * | FQD5N40TM | 0 | |||||||
| * | FQD5N30TM | 0 | |||||||
| * | FQD5N30TF | 0 | |||||||
| * | FQD5N40TF | 0 | |||||||
| * | FQD5N50CTF | 0 | |||||||
| * | FQD5N50CTM | 0 | |||||||
| * | FQD5N50TM | 0 | |||||||
| * | FQD5N60CTF | 0 | |||||||
| * | FQD5N50TF | 0 | |||||||
| * | FQD5N50CTM_F080 | 0 | |||||||
| * | FQD5N60CTM_F080 | 0 | |||||||
| * | FQD5N50CTM-WS | 0 | |||||||
| * | FQD5N15TM | 0 | CNY | 4.6916 | |||||
| * | FQD5N20LTM | 0 | CNY | 2.2205 | |||||
| * | FQD5N60CTM | 0 | CNY | 4.0828 | |||||
| * | FQD5N60CTM | 0 | CNY | 6.5182 | |||||
| * | FQD5N60CTM | 0 | USD | ||||||
| * | FQD5N50CTM | 0 | USD |
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
