| 1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| * | FQU1N60TU | 3840 | USD | ||||||
| * | FQU1N50TU | 4880 | USD | ||||||
| * | FQU1N80TU | 116388 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 321000 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N80TU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 3631 | |||||||
| * | FQU1N80TU | 0 | |||||||
| * | FQU1N50TU | 0 | |||||||
| * | FQU1N60TU | 0 | |||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | CNY | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 16248 | USD | 0.448592 | 0.423200 | 0.399245 | |||
| * | FQU1N80TU | 2510 | USD | 4.556304 | 4.298400 | 4.055094 | |||
| * | FQU1N60TU | 607 | USD | 0.821046 | 0.774572 | 0.730728 | |||
| * | FQU1N50TU | 2056 | USD | 0.263690 | 0.248764 | 0.234683 | |||
| * | FQU1N60CTU | 1852 | USD | ||||||
| * | FQU1N60CTU | 0 | |||||||
| * | FQU1N80TU | 0 |
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
