| 1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| * | FQU2N90TU | 133872 | USD | ||||||
| * | FQU2N60TU | 7632 | USD | ||||||
| * | FQU2N80TU | 3184 | USD | ||||||
| * | FQU2N50BTU | 60360 | USD | ||||||
| * | FQU2N100TU | 5408 | USD | ||||||
| * | FQU2N60CTU | 6496 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU_AM002 | 14574 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU_WS | 44088 | USD | ||||||
| * | FQU2N50BTU_WS | 37512 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N50BTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N60TU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU-WS | 0 | USD | ||||||
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| * | FQU2N50BTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N50BTU | 0 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU-WS | 1 | USD | ||||||
| * | FQU2N60CTU | 0 | |||||||
| * | FQU2N100TU | 0 | |||||||
| * | FQU2N90TU-WS | 8402 | |||||||
| * | FQU2N50BTU-WS | 0 | |||||||
| * | FQU2N90TU-AM002 | 0 | |||||||
| * | FQU2N50BTU | 0 | |||||||
| * | FQU2N80TU | 0 | |||||||
| * | FQU2N60TU | 0 | |||||||
| * | FQU2N90TU | 0 | |||||||
| * | FQU2N100TU | 0 | CNY | ||||||
| * | FQU2N60CTU | 0 | CNY | ||||||
| * | FQU2N100TU | 39 | USD | ||||||
| * | FQU2N60CTU | 906 | USD | 1.038600 | 0.979811 | 0.924350 | |||
| * | FQU2N90TU-WS | 29986 | USD | 4.294272 | 4.051200 | 3.821887 | |||
| * | FQU2N90TU-AM002 | 9374 | USD | 9.310400 | 8.783396 | 8.286223 | |||
| * | FQU2N100TU | 21156 | USD | 0.770832 | 0.727200 | 0.686038 | |||
| * | FQU2N50BTU-WS | 3656 | USD | 5.876000 | 5.543396 | 5.229619 | |||
| * | FQU2N50BTU_WS | 1 | USD | ||||||
| * | FQU2N50BTU-WS | 4401 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU-AM002 | 12519 | USD | ||||||
| * | FQU2N90TU-WS | 31547 | USD | ||||||
| * | FQU2N60CTU | 5 | USD | ||||||
| * | FQU2N100TU | 22215 | USD | ||||||
| * | FQU2N100TU | 0 | |||||||
| * | FQU2N90TU-AM002 | 0 | |||||||
| * | FQU2N90TU-WS | 0 |
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
