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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon

一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。

MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)

Infineon
Infineon MOSFET 功率驱动器 6路 半桥, 350mA, 12 → 20 V电源, 32引脚 PLCC封装