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DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon

DirectFET® 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。

在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
封装电阻极低,尽量减少传导损耗
高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型,仅 0.7mm

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

Infineon
英飞凌 PMOS, MOSFET, DirectFET, HEXFET系列, Vds=30 V, MX封装, 22 A, 表面贴装, 3+Tab引脚