N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

International Rectifier 的第五代 HEXFETS 利用最新工艺技术实现每硅区域极低接通电阻。此优势结合 HEXFET 功率 MOSFET 著名的快速切换速度和耐震器件设计，为设计人员提供极其高效和可靠的器件，适用于广泛的应用。SO-8 经改良通过自定义引线框增强热特性和多模能力，特别适合各种电源应用。凭借这些改进，用户可以在应用中使用多个设备，显著减少板空间。该封装设计用于汽相、红外线或波峰焊接技术。

低 RDS（接通）
行业领先的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
175°C 工作温度

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。