1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
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* | IRLB8743PBF | 0 | CNY | 10.438 | |||||
* | IRLB8748PBF | 0 | CNY | ||||||
* | IRLB8314PBF | 0 | CNY | 7.783 | |||||
* | IRLB8314PBF | 0 | CNY | 2.11875 | 2.03400 | 1.86450 | |||
* | IRLB8314PBF | 103464 | USD | ||||||
* | IRLB8748PBF | 67632 | USD | ||||||
* | IRLB8743PBF | 22152 | USD | ||||||
* | IRLB8721PBF | 7440 | USD | ||||||
* | IRLB8743PBF | 0 | USD | ||||||
* | IRLB8743PBF | 5124 | |||||||
* | IRLB8721PBF | 0 | |||||||
* | IRLB8314PBF | 0 | |||||||
* | IRLB8748PBF | 0 | |||||||
* | IRLB8314PBF | 0 | CNY | 4.2411 | |||||
* | IRLB8721PBF | 0 | CNY | 3.1988 | 3.1269 | ||||
* | IRLB8721PBF | 0 | CNY | 3.9176 | 3.4505 | ||||
* | IRLB8743PBF | 0 | CNY | ||||||
* | IRLB8743PBF | 0 | CNY | ||||||
* | IRLB8748PBF | 0 | CNY | 3.1988 | 3.1269 | ||||
* | IRLB8748PBF | 0 | CNY | 3.1988 | 3.1269 | ||||
* | IRLB8743PBF | 4235 | USD | ||||||
* | IRLB8748PBF | 19400 | USD | ||||||
* | IRLB8721PBF | 17926 | USD | ||||||
* | IRLB8721PBF | 7144 | USD | 0.257080 | 0.242528 | 0.228800 | |||
* | IRLB8743PBF | 41545 | USD | ||||||
* | IRLB8748PBF | 57479 | USD | ||||||
* | IRLB8748PBF | 57479 | USD | ||||||
* | IRLB8748PBF | 57479 | USD | ||||||
* | IRLB8314PBF | 3138 | USD | ||||||
* | IRLB8743PBF | 38834 | USD | ||||||
* | IRLB8748PBF | 57494 | USD | ||||||
* | IRLB8314PBF | 2912 | USD | ||||||
* | IRLB8721PBF | 3671 | USD | ||||||
* | IRLB8314PBF | 0 | |||||||
* | IRLB8721PBF | 0 | |||||||
* | IRLB8743PBF | 0 | |||||||
* | IRLB8748PBF | 0 |
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。