1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
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* | STGP10NC60KD | 0 | CNY | ||||||
* | STGP10H60DF | 6192 | USD | ||||||
* | STGP10NB60SFP | 31920 | USD | ||||||
* | STGP18N40LZ | 7392 | USD | ||||||
* | STGP14N60D | 4384 | USD | ||||||
* | STGP19NC60WD | 61404 | USD | ||||||
* | STGP10NC60K | 19560 | USD | ||||||
* | STGP12NB60KD | 5536 | USD | ||||||
* | STGP12NB60K | 6016 | USD | ||||||
* | STGP12NB60HD | 6320 | USD | ||||||
* | STGP10NB37LZ | 21024 | USD | ||||||
* | STGP19NC60SD | 41400 | USD | ||||||
* | STGP15H60DF | 4544 | USD | ||||||
* | STGP19NC60KD | 112800 | USD | ||||||
* | STGP10NC60S | 19584 | USD | ||||||
* | STGP10NC60H | 6180 | USD | ||||||
* | STGP10NB60S | 14388 | USD | ||||||
* | STGP10NB60SD | 7376 | USD | ||||||
* | STGP10M65DF2 | 6928 | USD | ||||||
* | STGP15M65DF2 | 19944 | USD | ||||||
* | STGP14NC60KD | 274164 | USD | ||||||
* | STGP10NC60HD | 32232 | USD | ||||||
* | STGP100N30 | 19656 | USD | ||||||
* | STGP19NC60H | 22752 | USD | ||||||
* | STGP19NC60W | 7992 | USD | ||||||
* | STGP19NC60S | 8664 | USD | ||||||
* | STGP10NC60KD | 1495968 | USD | ||||||
* | STGP19NC60HD | 83712 | USD | ||||||
* | STGP19NC60KD | 1 | USD | ||||||
* | STGP10NC60HD | 1 | USD | ||||||
* | STGP19NC60HD | 1 | USD | ||||||
* | STGP10NC60KD | 1 | USD | ||||||
* | STGP15M65DF2 | 1 | USD | ||||||
* | STGP10NB60S | 1 | USD | ||||||
* | STGP10H60DF | 1 | USD | ||||||
* | STGP14NC60KD | 1 | USD | ||||||
* | STGP10M65DF2 | 1 | USD | ||||||
* | STGP10NB60SD | 1 | USD | ||||||
* | STGP19NC60SD | 1 | USD | ||||||
* | STGP15H60DF | 1 | USD | ||||||
* | STGP10NC60S | 940 | CNY | 6.9133 | |||||
* | STGP10NB37LZ | 137 | CNY | 9.2792 | |||||
* | STGP10M65DF2 | 468 | CNY | 4.7441 | |||||
* | STGP15M120F3 | 0 | CNY | 0 | |||||
* | STGP10NB60SD | 0 | CNY | 0 | |||||
* | STGP19NC60KD | 0 | CNY | 0 | |||||
* | STGP19NC60HD | 0 | CNY | 0 | |||||
* | STGP15H60DF | 0 | CNY | 0 | |||||
* | STGP14NC60KD | 0 | CNY | 0 |
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。