Infineon 20V 的一系列 40V － 0.6mΩ n 通道汽车认可功率 mosfet ，采用最新的最佳 mosfet 技术，并采用多种封装，可满足各种需求，并实现低至 Optimos5 40V μ m 的 rds （接通）。新的最佳 mosfet 技术可实现低传导损耗 （同类最佳的 rdson 性能）、低切换损耗（改进的切换行为）、改进的二极管恢复和 emc 行为。此 mosfet 技术采用最先进的创新封装、以实现最佳的产品性能和质量。为了实现终极设计灵活性、汽车合格的高电阻器提供各种封装、以满足各种需求。Infineon 为客户提供了电流容量、切换行为、可靠性、封装尺寸和整体质量等方面的稳定改进。新开发的集成半桥是一种创新且经济高效的封装解决方案、适用于电动机驱动和主体应用。
双 n 通道逻辑电平 - 增强模式
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
