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Infineon OptiMOS 系列双 N 沟道 MOSFET 的漏极至源电压为 55 V它具有较大源引线框架连接的优点,用于电线粘结, 200um 粘结线的电流高达 20A。
符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C Peak 回流工作温度 175°C绿色封装 超低 RDS经过 100% 雪崩测试
NMOS, MOSFET, OptiMOS系列, Vds=55 V, TDSON封装, 20 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
CNY 4.46