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International Rectifier 的 Infineon 设计采用先进 Advanced 处理技术,可在每个硅片区域实现极低的接通电阻。此优势结合了 ex场 效应功率式高功率器件闻名的快速开关速度和耐震设备设计、为设计人员提供了极其高效和可靠的器件、适用于各种应用。

先进的工艺技术
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩等级

Infineon
英飞凌 NMOS, MOSFET, HEXFET系列, Vds=55 V, d-pak IRFR2405封装, 56 A, 表面贴装, 3引脚, 硅晶体管