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the Infineon ex场 功率 mosfet 利用最新的处理技术,在每个硅片区域实现极低的接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合、使此设计成为极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。

先进的工艺技术
超低接通电阻
175°C 工作温度
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无铅

Infineon
英飞凌 NMOS, MOSFET, Vds=55 V, DPAK (TO-252)封装, 59 A, 表面安装器件