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Infineon n 沟道功率高的功率为提高效率、功率密度和成本效益而开发。专为高性能应用而设计、并针对高切换频率进行了优化、因此、这些产品具有业内最佳的品质。现在、作为强大的 irfet 的补充、该产品组合提供了一个真正强大的组合。得益于强大的 irfet 功率极高的器件和出色的性价比以及杰出的最佳的技术。两个产品系列都能满足高品质标准和性能要求。该接合产品组合涵盖 12V 至 300V 的电压、可满足从低到高切换频率的各种需求、如开关电源、电池供电应用、电动机控制和驱动器、变频器和计算。

低栅极到漏极电荷可降低
切换损耗
完全定性电容、包括
有效的 coss 以简化设计(请参阅
应用程序注 AN1001 )
完全雪崩电压特征
和电流
无铅

Infineon
英飞凌 NMOS, MOSFET 晶体管 + 二极管, HEXFET系列, Vds=150 V, DPAK封装, 24 A, 表面贴装, 3引脚