当 N 沟道不适合您的设计时，P 沟道 MOSFET 将会特别适合您的设计，我们广泛的 MOSFET 产品目录还包括许多 P 沟道设备系列，基于 Nexperia 的领先 Trench 技术。额定电压范围为 12 V 到 70 V，采用中低功率封装，提供我们熟悉的高效率和高可靠性。
30 V，双 P 沟道 Trench MOSFET，双 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
低阈值电压
无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
继电器驱动器
高速线路驱动器
高侧负载开关
开关电路
