N 沟道 MOSFET ≤ 20 V，为您的便携式设计提供最佳开关解决方案，多种高达 20 V 的单和双 N 沟道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。
20 V，双 N 沟道 Trench MOSFET，双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
低漏泄电流
无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装：1.1 ´ 1.0 ´ 0.37 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
静电放电 (ESD) 保护：> 1 kV HBM
漏-源导通电阻 RDSon = 470 mΩ
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
