N 沟道 MOSFET 25 V - 30 V，凭借先进的技术知识，提供可靠的性能，易于使用的 MOSFET 具有 25 V 至 30 V 的电压范围。特别适用于对空间和功率要求严苛的应用，它们提供极佳的切换性能和同类领先的安全工作区 (SOA)。需要不同的额定电压？查看我们丰富产品组合的其余部分以获得更多选择。
30 V，双 N 沟道 Trench MOSFET，双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
低阈值电压
无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装：1.1 ´ 1.0 ´ 0.37 mm
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
