当 N 沟道不适合您的设计时,P 沟道 MOSFET 将会特别适合您的设计,我们广泛的 MOSFET 产品目录还包括许多 P 沟道设备系列,基于 Nexperia 的领先 Trench 技术。额定电压范围为 12 V 到 70 V,采用中低功率封装,提供我们熟悉的高效率和高可靠性。
20 V,双 P 沟道 Trench MOSFET,双 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
无引线超小型和超薄型 SMD 塑料封装:1.1 ´ 1.0 ´ 0.37 mm
裸露的散热垫,用于提供极佳的热传导
静电放电 (ESD) 保护:> 1 kV HBM
漏-源导通电阻 RDSon = 1.02 Ω
继电器驱动器
高速线路驱动器
高侧负载开关
开关电路